用于白光的LED大功率芯片一般在市场上可以看到的都在40mil左右，所谓的大功率芯片的使用功率一般是指电功率在1W以上。
由于量i子效率一般小于20%大部分电能会转换成热能，所以大功率芯片的散热很重要，要求芯片有较大的面积。
制造GaN外延材料的芯片工艺和加工设备与GaP、GaAs、InGaAlP相比有哪些不同的要求?为什么?
普通的LED红黄芯片和高亮四元红黄芯片的基板都采用GaP、GaAs等化合物半导体材料，一般都可以做成N型衬底。
采用湿法工艺进行光刻，较为后用金刚砂轮刀片切割成芯片。
GaN材料的蓝绿芯片是用的蓝宝石衬底，由于蓝宝石衬底是绝缘的，所以不能作为LED的一个极，必须通过干法刻蚀的工艺在外延面上同时制作P/N两个电极并且还要通过一些钝化工艺。由于蓝宝石很硬，用金刚砂轮刀片很难划成芯片。
它的工艺过程一般要比GaP、GaAs材料的LED多而复杂。
在LED芯片制作过程中，把一些有缺陷的或者电极有磨损的芯片，分捡出来，这些就是后面的散晶，此时在蓝膜上有一些不符合正常出货要求的晶片，也就自然成了边片。
刚才谈到在晶圆上的不同位置抽取九个点做参数测试，对于不符合相关要求的晶圆片作另外处理，这些晶圆片是不能直接用来做LED方片，也就不做任何分检了，直接卖给客户了，也就是目前市场上的LED大圆片(但是大圆片里也有好东西，如方片)。
LED制作流程分为两大部分。
首先在衬低上制作氮化家(GaN)基的外延片，这个过程主要是在金属有机化学气相沉积外延炉中完成的。
准备好制作GaN基外延片所需的材料源和各种高纯的气体之后，按照工艺的要求就可以逐步把外延片做好。
常用的衬底主要有蓝宝石、碳化硅和硅衬底，还有GaAs、AlN、ZnO等材料。
MOCVD是利用气相反应物(前驱物)及Ⅲ族的有机金属和Ⅴ族的NH3在衬底表面进行反应，将所需的产物沉积在衬底表面。
通过控制温度、压力、反应物浓度和种类比例，从而控制镀膜成分、晶相等品质。
MOCVD外延炉是制作LED外延片蕞常用的设备。
近几年，LED电子显示屏市场十分，带动着整个LED显示屏行业进入到高速增长阶段。除了在户外被大量应用的广告屏、演艺屏、交通诱导屏等之外，应用于室内LED显示屏也是一个潜力巨大的市场，其中包括室内监控大屏幕以及室内电子幕墙等。但从技术层面来看，实际上，在过去10年左右的时间里，大多数厂商推出的LED屏在基本的系统架构上并没有太大的变化，只是针对某些技术指标作一定程度的改善和修正。
同时，在产品的普及推广上也相对滞后，虽然早在几年前市场上就已有带PWM(脉冲宽度调制)功能的显示屏驱动IC产品推出，且市场人士也均已认同PWM功能具有高刷新率、电流恒定等优势，但由于价格等因素，至今为止这类显示屏驱动IC的市场份额仍旧不高，市场上应用量较大的还是以基本款居多(如聚积5024/26等)，产品主要应用在一些较为注重品质的LED屏租赁市场中。
然而，伴随着目前LED显示屏市场的迅猛发展，越来越多的用户开始对LED屏提出了从视觉效果、传输方式、显示方式，到播放方式等一系列复杂的要求，这也使得LED屏产品面临一次全新的技术革新机遇，而作为整体显示屏系统的“大脑”——LED驱动IC将起到致关重要的作用。
以上信息由专业从事led芯片价格的杰生半导体于2025/1/14 18:20:42发布
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