LED芯片制造主要是为了制造有效可靠的低欧姆接触电极，并能满足可接触材料之间较为小的压降及提供焊线的压垫，同时尽可能的多地出光。
渡膜工艺一般用真空蒸镀方法，4Pa高真空下，用电阻加热或电子束轰击加热方法使材料熔化，并在低气压下BZX79C18变成金属蒸气沉积在半导体材料表面。
一般所用的P型接触金属包括AuBe、AuZn等合金，N面的接触金属常采用AuGeNi合金。
镀膜后形成的合金层还需要通过光刻工艺将发光区尽可能多地露出来，使留下来的合金层能满足有效可靠的低欧姆接触电极及焊线压垫的要求。
光刻工序结束后还要通过合金化过程，合金化通常是在H2或N2的保护下进行。
合金化的时间和温度通常是根据半导体材料特性与合金炉形式等因素决定。
当然若是蓝绿等芯片电极工艺还要复杂，需增加钝化膜生长、等离子刻蚀工艺等。
所谓透明电极一是要能够导电，二是要能够透光。
这种材料现在较为广泛应用在液晶生产工艺中，其名称叫氧化铟锡，英文缩写ITO，但它不能作为焊垫使用。
制作时先要在芯片表面做好欧姆电极，然后在表面覆盖一层ITO再在ITO表面镀一层焊垫。
这样从引线上下来的电流通过ITO层均匀分布到各个欧姆接触电极上，同时ITO由于折射率处于空气与外延材料折射率之间，可提高出光角度，光通量也可增加。
2003年6月中国科技部首i次提出我国发展半导体照明，标志着我国半导体照明项目正式启动。
2006年的“十一五”将半导体照明工程作为国家的一个重大工程进行推动，在国家政策和资金的倾斜支持下，2010年我国LED产业规模超1500亿元。
2011年国家发改委正式发布中国淘汰白炽灯的政府公告及路线图，明确提出2016年将全i面禁止白炽灯的销售。2011年至2016年为淘汰白炽灯的过渡期，同时也是LED照明行业的快速发展期。
中国LED产业起步阶段，芯片主要依赖进口。近年来，在国家政府政策支持下，我国LED芯片厂商加大研发投入，国内LED芯片行业发展迅速，产能逐渐向中国大陆转移，2017年国内LED芯片供过于求苗头初现，主流芯片厂开始转向高i端产能并进行扩产。
从高可靠上来说：主要包括失效率、寿命等指标上。但在应用中却存在不同的理解和阐述。高可靠性指的是产品在规定条件下和规定时间内，完成规定功能的能力。led失效类别主要有严重失效和参数失效。而寿命是产品可靠性的表征值。：一般指统计平均值，对大量元器件而言，led器件的寿命就是采用这种描述的含义。但影响led显示屏产品可靠性的因素有芯片制造、封装、热阻、散热等。既然说到这个，希望企业对led显示屏产品在执行质量控制的基础上，作2点要求：
1.减少失效率。
2.延长耗损失效时间。
后是在降低产品成本上：目前很多消费者在购买led显示屏时候都觉得价格太高，因此争对这个很多led显示屏厂家也都采取了相应的措施，要降低成本除了大批量生产外，主要从技术上采取措施来降低成本的方法、途径。主要是在外延芯片、封装、驱动、散热等方面降低成本，从而从根本上解决led显示屏产品的成本问题。具体从以下四个方面谈及：
1.外延芯片环节降低成本的方法。
2.封装环节降低成本的方法。
3.灯具环节降低成本的方法。
4.其他配套成本的降低。
以上信息由专业从事LED外延片供应厂家的杰生半导体于2024/12/16 11:37:53发布
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