外延片制作出来以后，就可以按照下面的流程来制作 LED 芯片了：
外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→窗口图形光刻→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。
在生长完外延片后，下一步就开始对 LED 外延片做电极（P 极，N 极），接着就开始用激光机切割 LED 外延片（以前切割 LED 外延片主要用钻石刀），制造成芯片，然后在晶圆上的不同位置抽取九个点做参数测试，看看是否合格。
从上面可以看到 LED 外延片和芯片的生产离不开 MOCVD 、光刻机、刻蚀机、离子注入机、减薄机、划片机、检测设备等高i精尖设备。 LED 芯片产业属于重资产行业，从事该行业需要先重金购买先进的生产设备，还需要配置洁净无尘厂房，同时在各个环节还需要大量的工人。所以该行业是典型的：资金密集型、劳动密集型和技术密集型同时具备的产业。
蓝光LED通常采用Al2O3衬底，Al2O3衬底硬度很高、热导率和电导率低，如果采用正装结构，一方面会带来防静电问题，另一方面，在大电流情况下散热也会成为较为主要的问题。
同时由于正面电极朝上，会遮掉一部分光，发光效率会降低。
大功率蓝光LED通过芯片倒装技术可以比传统的封装技术得到更多的有效出光。
现在主流的倒装结构做法是：首先制备出具有适合共晶焊接电极的大尺寸蓝光LED芯片，同时制备出比蓝光LED芯片略大的硅衬底，并在上面制作出供共晶焊接的金导电层及引出导线层(超声金丝球焊点)。
然后，利用共晶焊接设备将大功率蓝光LED芯片与硅衬底焊接在一起。
这种结构的特点是外延层直接与硅衬底接触，硅衬底的热阻又远远低于蓝宝石衬底，所以散热的问题很好地解决了。
由于倒装后蓝宝石衬底朝上，成为出光面，蓝宝石是透明的，因此出光问题也得到解决。
以上就是LED技术的相关知识，相信随着科学技术的发展，未来的LED灯回越来越高i效，使用寿命也会由很大的提升，为我们带来更大便利。
LED芯片的分类有哪些呢？
MB芯片定义与特点
定义：Metal Bonding(金属粘着)芯片;该芯片属于UEC的专i利产品。
特点：
(1)采用高散热系数的材料---Si作为衬底，散热容易。Thermal Conductivity;GaAs：46W/m-K;GaP：77W/m-K;Si：125～150W/m-K;Cupper:300~400W/m-k;SiC：490W/m-K。
(2)通过金属层来接合(wafer bonding)磊晶层和衬底，同时反射光子，避免衬底的吸收。
(3)导电的Si衬底取代GaAs衬底，具备良好的热传导能力(导热系数相差3~4倍)，更适应于高驱动电流领域。
(4)底部金属反射层，有利于光度的提升及散热。
(5)尺寸可加大，应用于High power领域，eg:42mil MB。
LED芯片的分类有哪些呢？
TS芯片定义和特点
定义：transparent structure(透明衬底)芯片，该芯片属于HP的专i利产品。
特点：
(1)芯片工艺制作复杂，远高于AS LED。
(2)信赖性卓i越。
(3)透明的GaP衬底，不吸收光，亮度高。
(4)应用广泛。
AS芯片定义与特点
定义：Absorbable structure (吸收衬底)芯片;经过近四十年的发展努力，台湾LED光电业界对于该类型芯片的研发、生产、销售处于成熟的阶段，各大公司在此方面的研发水平基本处于同一水平，差距不大。
大陆芯片制造业起步较晚，其亮度及可靠度与台湾业界还有一定的差距，在这里我们所谈的AS芯片，特指UEC的AS芯片，eg：712SOL-VR， 709SOL-VR， 712SYM-VR，709SYM-VR等。
特点：
(1)四元芯片，采用MOVPE工艺制备，亮度相对于常规芯片要亮。
(2)信赖性优良。
(3)应用广泛。
以上信息由专业从事led芯片报价的杰生半导体于2024/5/6 11:34:53发布
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