在该产业早期，由于技术和设备都被日美企业掌握，国内并没有掌握相关技术和设备来生产芯片，所以只能从事 LED 下游产业。随着技术的升级，一些低端的 LED芯片生产技术被国内企业掌握，再加上国家的大力支持，所以在 2000年开始国内出现了大量 LED 芯片企业。
国内 LED 芯片企业蕞早的一批应该算是1993年2月成立的南昌欣磊光电科技有限公司了，早期生产的大部分都是如下图的发光二极管，一般用于指示灯。
而国内高亮度 LED 芯片企业从 1999年前后才开始雨后春笋般的出现了，下一篇将从1999年开始回顾下大陆 LED 芯片产业的激荡二十年！看看这二十年中那些企业消失在了历史的长河中，而那些企业能够越做越大做到基业长青！
所谓透明电极一是要能够导电，二是要能够透光。
这种材料现在较为广泛应用在液晶生产工艺中，其名称叫氧化铟锡，英文缩写ITO，但它不能作为焊垫使用。
制作时先要在芯片表面做好欧姆电极，然后在表面覆盖一层ITO再在ITO表面镀一层焊垫。
这样从引线上下来的电流通过ITO层均匀分布到各个欧姆接触电极上，同时ITO由于折射率处于空气与外延材料折射率之间，可提高出光角度，光通量也可增加。
在LED芯片制作过程中，把一些有缺陷的或者电极有磨损的芯片，分捡出来，这些就是后面的散晶，此时在蓝膜上有一些不符合正常出货要求的晶片，也就自然成了边片。
刚才谈到在晶圆上的不同位置抽取九个点做参数测试，对于不符合相关要求的晶圆片作另外处理，这些晶圆片是不能直接用来做LED方片，也就不做任何分检了，直接卖给客户了，也就是目前市场上的LED大圆片(但是大圆片里也有好东西，如方片)。
LED制作流程分为两大部分。
首先在衬低上制作氮化家(GaN)基的外延片，这个过程主要是在金属有机化学气相沉积外延炉中完成的。
准备好制作GaN基外延片所需的材料源和各种高纯的气体之后，按照工艺的要求就可以逐步把外延片做好。
常用的衬底主要有蓝宝石、碳化硅和硅衬底，还有GaAs、AlN、ZnO等材料。
MOCVD是利用气相反应物(前驱物)及Ⅲ族的有机金属和Ⅴ族的NH3在衬底表面进行反应，将所需的产物沉积在衬底表面。
通过控制温度、压力、反应物浓度和种类比例，从而控制镀膜成分、晶相等品质。
MOCVD外延炉是制作LED外延片蕞常用的设备。
在传统LED大屏幕显示技术和产品的基础上,LED显示应用产品在行业市场中的份额逐年增加。LED上游产业发展对显示应用产业的发展促进作用明显。LED产业链上下游之间实现良性互动,新产品、新技术推广应用迅速,基于LED芯片材料、驱动IC、控制等技术的发展,行业内许多企业在LED综合应用、半导体照明、灯饰亮化工程等方面形成了一定的技术基础和生产工程基础。
发光二极管(LED)上游外延和芯片价格涨价,全球LED大厂晶电,已经向下游封装厂释出涨价的讯息；广光电董事长陈进财证实，已对韩国首尔半导体涨价5%至10%。由于LED厂广泛运用在电视、笔电、照明等产品上，预期终端产品的价格可能也会跟进涨价。 由于零组件缺货,使得电子产品的价格从以往固定跌价变成不跌反涨,LED芯片价格过去每年都是下滑二成,今年却要涨价,此波从二线厂先涨起,包括璨圆、广、新世纪、泰谷等,这些业者在产能爆满下,已悄悄的涨价；而晶电的产能与营收是二线厂的四倍以上,在厂跟进后,整体产业链都会带来价格压力。LED显示产品也不能幸免。或多或少都会受到影响。
有的企业面对涨价的局面，开始从根基改变，进行的技术创新。我国LED显示应用行业在新技术、新产品开发方面一直具有良好的基础。适应LED显示屏应用市场的需求变化,2009年,行业内的许多企业在产品技术开发、和知识产权保护等方面积极开展了工作,许多新技术成果直接用于国庆60典等重点工程,取得了良好的效果。部分企业承担了国家和地方政府的有关科技项目研究,业内大批企业获得高新技术企业资格。
以上信息由专业从事led芯片厂家的杰生半导体于2024/4/22 8:46:25发布
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